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如何計算電動車控制器短路保護時間
日期：2025-06-13 14:24
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摘要：
中心議題：
隨著電動車市場競爭的日益激烈，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求越來越高。與此同時，作為整車四大件之一的控制器的技術(shù)也不斷成熟，可靠性也越來越高，質(zhì)量已進入一個相對穩(wěn)定的時期。由于在控制器的生產(chǎn)和使用過程中不可避免地會遇到相線短路的情況，如電機的線圈短路就會直接導(dǎo)致控制器的相線短路。因此，必須設(shè)計短路保護功能以提高控制器的可靠性。在實際應(yīng)用中，許多工程師面往往忽略了短路保護時間設(shè)計的問題，因此本文就如何確定短路保護時間作一些探討，以便能夠為設(shè)計人員在設(shè)計產(chǎn)品時作一些參考。
1 短路模型及分析
短路模型如圖1所示，其中僅畫出了功率輸出級的A、B兩相（共三相）。Q1和Q3為A相MOSFET，Q2和Q4為B相MOSFET，所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機線圈，Rs為電流檢測電阻。
當(dāng)控制器工作時，如電機短路，則會形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2，Q3的短路電流，其電流值很大，達幾百安培，MOSFET的瞬態(tài)溫升很大，這種情況下應(yīng)及時保護，否則會使MOSFET結(jié)點溫度過高而使MOSFET損壞。短路時Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路，而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路，當(dāng)脈沖45us關(guān)斷后，Vds回升，由于溫度過高，僅經(jīng)過10us的時間MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時峰值電流達500A，這是由于短路時MOSFET直接將電源正負極短路，回路阻抗是導(dǎo)線，PCB走線及MOSFET的Rds（on）之和，其數(shù)值很小，一般為幾十毫歐至幾百毫歐。
- 電動車無刷電機控制器短路的工作模型
- 控制器在短路時MOSFET的工作狀態(tài)
- 計算MOSFET瞬態(tài)溫升的計算公式
- 設(shè)定短路保護時間的原則
- 溫升公式：Tj = Tc + P × Rth(jc)
- 根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間
- 工作溫度越高短路保護時間就應(yīng)該越短
隨著電動車市場競爭的日益激烈，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求越來越高。與此同時，作為整車四大件之一的控制器的技術(shù)也不斷成熟，可靠性也越來越高，質(zhì)量已進入一個相對穩(wěn)定的時期。由于在控制器的生產(chǎn)和使用過程中不可避免地會遇到相線短路的情況，如電機的線圈短路就會直接導(dǎo)致控制器的相線短路。因此，必須設(shè)計短路保護功能以提高控制器的可靠性。在實際應(yīng)用中，許多工程師面往往忽略了短路保護時間設(shè)計的問題，因此本文就如何確定短路保護時間作一些探討，以便能夠為設(shè)計人員在設(shè)計產(chǎn)品時作一些參考。
1 短路模型及分析
短路模型如圖1所示，其中僅畫出了功率輸出級的A、B兩相（共三相）。Q1和Q3為A相MOSFET，Q2和Q4為B相MOSFET，所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機線圈，Rs為電流檢測電阻。
當(dāng)控制器工作時，如電機短路，則會形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2，Q3的短路電流，其電流值很大，達幾百安培，MOSFET的瞬態(tài)溫升很大，這種情況下應(yīng)及時保護，否則會使MOSFET結(jié)點溫度過高而使MOSFET損壞。短路時Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路，而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路，當(dāng)脈沖45us關(guān)斷后，Vds回升，由于溫度過高，僅經(jīng)過10us的時間MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時峰值電流達500A，這是由于短路時MOSFET直接將電源正負極短路，回路阻抗是導(dǎo)線，PCB走線及MOSFET的Rds（on）之和，其數(shù)值很小，一般為幾十毫歐至幾百毫歐。
2 計算合理的保護時間
在實際應(yīng)用中，不同設(shè)計的控制器，其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時的電源電壓不同，導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設(shè)計者應(yīng)跟據(jù)自己的實際電路和使用條件設(shè)計合理的保護時間。
短路保護時間計算步驟：
2．1 計算MOSFET短路時允許的瞬態(tài)溫升
因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設(shè)計應(yīng)是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點溫度可由下式計算：
在實際應(yīng)用中，不同設(shè)計的控制器，其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時的電源電壓不同，導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設(shè)計者應(yīng)跟據(jù)自己的實際電路和使用條件設(shè)計合理的保護時間。
短路保護時間計算步驟：
2．1 計算MOSFET短路時允許的瞬態(tài)溫升
因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設(shè)計應(yīng)是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點溫度可由下式計算：
Tj = Tc + P × Rth(jc)
其中：
Tc：MOSFET表面溫度
Tj：MOSFET結(jié)點溫度
Tj：MOSFET結(jié)點溫度
Rth（jc）：結(jié)點至表面的熱阻，可從元器件Datesheet中查得。
一般來說，一只控制器輸出功率為350W時，并且采用同步整流技術(shù)，續(xù)流側(cè)MOSFET的耗散功率為20W左右，即P=20W。同時我們假設(shè)MOSFET工作時的表面溫度Tc為100℃（炎熱的夏季MOSFET的表面溫度一般都會達到此值），則：Tj= Tc+P× Rth(jc) = 100+20×0.45 = 109℃。
理論上MOSFET的結(jié)點溫度不能超過175℃，所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為：Trising = Tjmax -Tj = 175-109 = 66℃。
2．2 根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻
由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：
2．2 根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻
由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：
P = Vds × I = 25 × 400 =10000W
脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過EXCEL進行積分，從而得到比較**的脈沖功率數(shù)據(jù)。
對于MOSFET溫升計算有如下公式：
對于MOSFET溫升計算有如下公式：
Trising = P × Zθjc × Rθjc
其中：
Rθjc------結(jié)點至表面的熱阻，可從元器件Datesheet中查得。
Zθjc------熱阻系數(shù)
Zθjc------熱阻系數(shù)
由上式變形可得，
Zθjc = Trising ÷（ P × Rθjc）
代入數(shù)據(jù)得：
Zθjc = 66 ÷ （10000 × 0.45）=0.015
2．3 根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間
由圖3*下面一條曲線（單脈沖）可知，對于單脈沖來說，要想獲得0.015的熱阻系數(shù)，其脈沖寬度不能大于20us。
3 設(shè)計短路保護應(yīng)注意的幾個問題
如何計算電動車控制器短路保護時間
由于不同控制器的PCB布線參數(shù)不一樣，導(dǎo)致相線短路時回路阻抗不等，短路電流也因此不同。所以，不同設(shè)計的控制器應(yīng)根據(jù)實際情況設(shè)計確當(dāng)?shù)亩搪繁Ｗo時間。
由于應(yīng)用中使用的電源電壓有可能不同，也會導(dǎo)致短路電流的不同，同樣也會影響到保護時間。
注意控制器實際工作時的可能*高溫度，工作溫度越高，短路保護時間就應(yīng)該越短。
本文討論的短路保護時間是指MOSFET能承受的*長短路時間。在設(shè)計短路保護電路時，應(yīng)考慮硬件及軟件的響應(yīng)時間，以及電流保護的峰值，這些參數(shù)都會影響到*終的保護時間。因此，硬件電路設(shè)計和軟件的編寫致關(guān)重要。
本文討論的短路保護時間是單次短路保護時間，短路后短時間內(nèi)不能再次短路。如果設(shè)計成周期性短路保護，則短路保護時間應(yīng)更短。
4 結(jié)論
短路保護在瞬間大電流時能對MOSFET提供可靠的快速保護，大大增加了控制的可靠性，減少了控制器的損壞率。
