一、單向可控硅工作原理
可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。

可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于*小維持電流以下。
二、單向可控硅的引腳區分

對可控硅的引腳區分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽極，陰極引線比控制極引線長。從外形無法 判斷的可控硅，可用萬用表R×100或R×1K擋，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時，黑表筆所接的是 控制極G，紅表筆所接的是陰極C，余下的一只管腳為陽極A。

三、單向可控硅的性能檢測


可控硅質量好壞的判別可以從四個方面進行。**是三個PN結應完好；**是當陰極與陽極間電壓 反向連接時能夠阻斷，不導通；第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可 控硅應當導通，把控制極電流去掉，仍處于導通狀態。

用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不 接電壓），此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不 能使用了。

用R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很?#8221;礱骺煽毓杌鞔┒搪貳?/FONT>

用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極， 此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。