不同可控硅的檢測方式介紹

　　（一）單向可控硅的檢測

　　1．判別各電極 根據普通可控硅的結構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結，具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯的PN結。因此，通過用萬用表R×100A或R×1k檔測量普通可控硅各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。

　　具體方法是：將萬用表黑表筆任接可控硅某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆（kΩ），而另一次阻值為幾百歐姆（Ω），則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其它電極，直到找出三個電極為止。

　　也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。

　　普通可控硅也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。例如：

　　螺栓形普通可控硅的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。

　　平板形普通可控硅的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。

　　金屬殼封裝（TO–3）的普通可控硅，其外殼為陽極A。

　　塑封（TO–220）的普通可控硅的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。圖8-15為幾種普通可控硅的引腳排列。

　　2．判斷其好壞 用萬用表R×1k檔測量普通可控硅陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時均應為無窮大（∞）若測得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值較小，則說明可控硅內部擊穿短路或漏電。

　　測量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時應有類似二極管的正、反向電阻值（實際測量結果較普通二極管的正、反向電阻值小一些），即正向電阻值較小（小于2 kΩ），反向電阻值較大（大于80 kΩ）。若兩次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該可控硅G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該可控硅已失效，其G、K極間PN結已失去單向導電作用。

　　測量陽極A與門極G之間的正、反向電阻，正常時兩個阻值均應為幾百千歐姆（kΩ）或無窮大，若出現正、反向電阻值不一樣（有類似二極管的單向導電），則是G、A極之間反向串聯的兩個PN結中的一個已擊穿短路。

　　3．觸發能力檢測 對于小功率（工作電流為5A以下）的普通可控硅，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大（∞）。用鑷子或導線將可控硅的陽極A與門極短路，相當于給G極加上正向觸發電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆（具體阻值根據可控硅的型號不同會有所差異），則表明可控硅因正向觸發而導通。再斷開A極與G極的連接（A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發電壓斷掉），若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此可控硅的觸發性能良好。

　　對不求甚解作電流在5A以上的中、大功率普通可控硅，因其通態壓降VT、維持電流IH及門極觸發電壓VG均相對較大，萬用表R×1檔所提供的電流偏低，可控硅不能完全導通，故檢測時可在黑表筆端串接一只200Ω可調電阻和1~3節1.5V干電池（視被測可控硅的容量而定，其工作電流大于100A的，應用3節1.5V干電池），如圖8-17所示。

　　也可以用圖8-18中的測試電路測試普通可控硅的觸發能力。電路中，VT為被測可控硅，HL為6.3V指示燈（手電筒中的小電珠），GB為6V電源（可使用4節1.5V干電池或6V穩壓電源），S為按鈕，R為限流電阻。

　　當按鈕S未接通時，可控硅VT處于阻斷狀態，指示燈HL不亮（若此時HL亮，則是VT擊穿或漏電損壞）。按動一下按鈕S后（使S接通一下，為可控硅VT的門極G提供觸發電壓），若指示燈HL一直點亮，則說明可控硅的觸發能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明可控硅性能**、導通壓降大（正常時導通壓降應為1V左右）。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕斷開時，指示燈熄滅，則說明可控硅已損壞，觸發性能**。

　　（二）雙向可控硅的檢測

　　1．判別各電極 用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向可控硅三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其它兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。
　　找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極T1和門極G3。測量這兩腳之間的正反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小（約幾十歐姆）的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。

　　螺栓形雙向可控硅的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。

　　金屬封裝（TO–3）雙向可控硅的外殼為主電極T2。

　　塑封（TO–220）雙向可控硅的中間引腳為主電極T2，該極通常與自帶小散熱片相連。

　　2．判別其好壞 用萬用表R×1或R×10檔測量雙向可控硅的主電極T1與主電極T2之間、主電極T2與門極G之間的正、反向電阻值，正常時均應接近無窮大。若測得電阻值均很小，則說明該可控硅電極間已擊穿或漏電短路。
　　測量主電極T1與門極G之間的正、反向電阻值，正常時均應在幾十歐姆（Ω）至一百歐姆（Ω）之間（黑表筆接T1極，紅表筆接G極時，測得的正向電阻值較反向電阻值略小一些）。若測得T1極與G極之間的正、反處電阻值均為無窮大，則說明該可控硅已開路損壞。

　　3．觸發能力檢測 對于工作電流為8A以下的小功率雙向可控硅，可用萬用表R×1檔直接測量。測量時先將黑表筆接主電極T2，紅表筆接主電極T1，然后用鑷子將T2極與門極G短路，給G極加上正極性觸發信號，若此時測得的電阻值由無窮大變為十幾歐姆（Ω），則說明該可控硅已被觸發導通，導通方向為T2→T1。

　　再將黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，用鑷子將T2極與門極G之間短路，給G極加上負極性觸發信號時，測得的電阻值應由無窮大變為十幾歐姆，則說明該可控硅已被觸發導通，導通方向為T1→T2。

　　若在可控硅被觸發導通后斷開G極，T2、T1極間不能維持低阻導通狀態而阻值變為無窮大，則說明該雙向可控硅性能**或已經損壞。若給G極加上正（或負）極性觸發信號后，可控硅仍不導通（T1與T2間的正、反向電阻值仍為無窮大），則說明該可控硅已損壞，無觸發導通能力。

　　對于工作電流以8A以上的中、大功率雙向可控硅，在測量其觸發能力時，可先在萬用表的某支表筆上串接1~3節1.5V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測量。

　　對于耐壓為400V以上的雙向可控硅，也可以用220V交流電壓來測試其觸發能力及性能好壞。

　　將電源插頭接入市電后，雙向可控硅處于截止狀態，燈泡不亮（若此時燈泡正常發光，則說明被測可控硅的T1、T2極之間已擊穿短路；若燈泡微亮，則說明被測可控硅漏電損壞）。按動一下按鈕S，為可控硅的門極G提供觸發電壓信號，正常時可控硅應立即被觸發導通，燈泡正常發光。若燈泡不能發光，則說明被測可控硅內部開路損壞。若按動按鈕S時燈泡點亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測可控硅的觸發性能**。

　　（三）門極關斷可控硅的檢測

　　1．判別各電極 門極關斷可控硅三個電極的判別方法與普通可控硅相同，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個電極，其中一次為低阻值（幾百歐姆），另一次為阻值較大。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳為陽極A。

　　2．觸發能力和關斷能力的檢測 可關斷可控硅觸發能力的檢測方法與普通可控硅相同。檢測門極關斷可控硅的關斷能力時，可先按檢測觸發能力的方法使可控硅處于導通狀態，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發信號時，可控硅被觸發導通，其A、K極間電阻值由無窮大變為低阻狀態。斷開A極與G極的短路點后，可控硅維持低阻導通狀態，說明其觸發能力正常。再在可控硅的門極G與陽極A之間加上反向觸發信號，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變為無窮大，則說明可控硅的關斷能力正常，圖8-21是關斷能力的檢測示意圖。

　　也可以用圖8-22所示電路來檢測門極關斷可控硅的觸發能力和關斷能力。電路中，EL為6.3V指示燈（小電珠），S為轉換開關，VT為被測可控硅。當開關S關斷時，可控硅不導通，指示燈不亮。將開關S的K1觸點接通時，為G極加上正向觸發信號，指示燈亮，說明可控硅已被觸發導通。若將開關S斷開，指示燈維持發光，則說明可控硅的觸發能力正常。若將開關S的K2觸點接通，為G極加上反向觸發信號，指示燈熄滅，則說明可控硅的關斷能力正常。

　　（四）溫控可控硅的檢測

　　1．判別各電極 溫控可控硅的內部結構與普通可控硅相似，因此也可以用判別普通可控硅電極的方法來找出溫控可控硅的電極。

　　2．性能檢測 溫控可控硅的好壞也可以用萬用表大致測出來，具體方法可參考普通可控硅的檢測方法。

　　圖8-23是溫控可控硅的測試電路。電路中，R是分流電阻，用來設定可控硅VT的開關溫度，其阻值越小，開關溫度設置值就越高。C為抗干擾電容，可防止可控硅VT誤觸發。HL為6.3V指示燈（小電珠），S為電源開關。

　　接通電源開關S后，可控硅VT不導通，指示燈HL不亮。用電吹風“熱風檔”給可控硅VT加溫，當其溫度達到設定溫度值時，指示燈亮，說明可控硅VT已被觸發導通。若再用電吹風“冷風”檔給可控硅VT降溫（或待其自然冷卻）至一定溫度值時，指示燈能熄滅，則說明該可控硅性能良好。若接通電源開關后指示燈即亮或給可控硅加溫后指示燈不亮、或給可控硅降溫后指示燈不熄滅，則是被測可控硅擊穿損壞或性能**。
（五）光控可控硅的檢測

　　用萬用表檢測小功率光控可控硅時，可將萬用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1~3節1.5V干電池，測量兩引腳之間的正、反向電阻值，正常時均應為無窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控可控硅的受光窗口，此時應能測出一個較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無窮大。在較小電阻值的一次測量中，轉業有筆接的是陽極A，紅表筆接的是陰極K。
　
　　也可用圖8-24中電路對光控可控硅進行測量。按通電源開關S，用手電筒照射可控硅VT的受光窗口、為其加上觸發光源（大功率光控可控硅自帶光源，只要將其光纜中的發光二極管或半導體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源）后，指示燈EL應點亮，撤離光源后指示燈EL應維持發光。

　　若接通電源開關S后（尚未加光源），指示燈EL即點亮，則說明被測可控硅已擊穿短路。若接通電源開關、并加上觸發光源后，指示燈EL仍不亮，在被測可控硅電極連接正確的情況下，則是該可控硅內部損壞。若加上觸發光源后，指示燈發光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說明該可控硅觸發性能**。

　　（六）BTG可控硅的檢測

　　1．判別各電極 根據BTG可控硅的內部結構可知，其阻極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯有PN結，而陽極A與門極G之間卻只有一個PN結。因此，只要用萬用表測出A極和G極即可。

　　將萬用表置于R×1k檔，兩表筆任接被測可控硅的某兩個引腳（測其正、反向電阻值），若測出某對引腳為低阻值時，則黑表筆接的陽極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個引腳即是陰極K。

　　2．判斷其好壞 用萬用表R×1k檔測量BTG可控硅各電極之間的正、反向電阻值。正常時，陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大；陽極A與門極G之間的正向電阻值（指黑表筆接A極時）為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該可控硅已短路損壞。

　　3．觸發能力檢測 將萬用表置于R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得阻值應為無窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個人體感應信號，若此時A、K之間的電阻值由無窮大變為低阻值（數歐姆），則說明可控硅的觸發能力良好。否則說明此可控硅的性能**。

　　（七）逆導可控硅的檢測

　　1．判別各電極 根據逆導可控硅內部結構可知，在陽極A與陰極K之間并接有一只二極管（正極接K極），而門極G與陰極K之間有一個PN結，陽極A與門極之間有多個反向串聯有PN結。

　　用萬用表R×100檔測量各電極之間的正反向電阻值時，會發發有一個電極與另外兩個電極之間正、反向測量時均會有一個低阻值，這個電極就是陰極K。將黑表筆接陰極K，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極，顯示為低阻值的一次測量中，紅表筆接的是陽極A。再將紅表筆接陰極K，黑表筆依次觸碰另外兩電極，顯示低阻值的一次測量中，黑表筆接的便是門極G。

　　2．測量其好壞 用萬用表R×100或R×1k檔測量反向導通可控硅的陽極A與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時，正向電阻值（黑表筆接A極）為無窮大，反向電阻值為幾百歐姆至幾千歐姆（用R×1k檔測量為7kΩ左右，用R×100檔測量為900Ω左右）。若正、反向電阻值均為無窮大，則說明可控硅內部并接的二極管已開路損壞。若正反向電阻值為很小，則是可控硅短路損壞。

　　正常時反向導通可控硅的陽極A與門極G之間的正、反向電阻值均為無窮大。若測得A、G極之間的正、反向電阻值均很小，則說明可控硅的A、G極之間擊穿短路。

　　正常時反向導通可控硅的門極G與陰極K之間的正向電阻值（黑表筆接G極）為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均為無窮大或均很小，則說明該可控硅G、K極間已開路或短路損壞。

　　3．觸發能力檢測 反向導通可控硅的觸發能力的檢測方法與普通可控硅相同。用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K（大功率可控硅應在黑表筆或紅表筆上串接1~3節1.5V干電池）,將A、G極間瞬間短路，可控硅即能被觸發導通，萬用表上的讀數會由無窮大變為低阻值。若不能由無窮大變為低阻值，則說明被測可控硅的觸發能力**。

　　（八）四端可控硅的檢測

　　1．判別各電極 四端可控硅多采用金屬殼封裝，圖8-25是其管腳排列底視圖。從管鍵（管殼上的凸起處）開始看，順時針方向依次為陰極K，陰極門極GK、陽極門極GA、陽極A。

　　2．判斷其好壞 用萬用表R×1k檔，分別測量四端可控硅各電極之間的正、反電阻值。正常時，陽極A與陽極門極GA之間的正向電阻值（黑表筆接A極）為無窮大，反向電阻值為4~12kΩ；陽極門極GA與陰極門極GK之間的正向電阻值（黑表筆接GA）為無窮大，反向電阻值為2~10 kΩ；陰極K與陰極控制極GK之間的正向電阻值（黑表筆接K）為無窮大，反向電阻值為4~12 kΩ。

　　若測得某兩極之間的正、反向電阻值均較小或均為無窮大，則說明該可控硅內部短路或開路。

　　3．觸發能力檢測 用萬用表R×1k檔，黑表筆接隨時隨地極A，紅表筆接陰極K，此時電阻值為無窮大。若將K極與陽極門極GA瞬間短路、給GA極加上負觸發脈沖電壓時，A、K極間電阻值由無窮大迅速變為低阻值，則說明該可控硅GA極的觸發能力良好。
　
　　斷開黑表筆后，再將其與陽極A連接好，紅表筆仍接陰極K，萬用表顯示阻值為無窮大。若將A極與GK極瞬間短路，給GK極加上正向觸發電壓時，可控硅A、K極之間的電阻值由無窮大變為低阻值，則可判定該可控硅GK極的觸發能力良好。

　　若將K、GA極或A、GA極短路時，A、K極之間的電阻值極仍為無窮大，則說明該可控硅內部開路損壞或性能**。

　　4．關斷性能檢測 在四端可控硅被觸發導通狀態時，若將陽極A與陽極門極GA或陰極K與陰極門極GK瞬間短路，A、K極之間的電阻值由低阻值變為無窮大，則說明被測可控硅的關斷性能良好。

　　5．反向導通性能檢測 分別將可控硅的陽極A與陽極門極GA、陰極K與陰極門極短接后，用萬用表R×1k檔、黑表筆接A極，紅表筆接K極，正常時阻值應為無窮大；再將兩筆對調測量，K、A極間正常電阻值應為低阻值（數千歐姆）。