產品詳情
簡單介紹：
晶體管類型 ： P溝道MOSFET
*大功耗PD ： 1.25W
柵極門限電壓VGS ： 2.5V（典型值）
漏源電壓VDS ：－20V（極限值）
漏極電流ID：TA=25°時：-2.3A，TA=70°時：-1.5A
通態電阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
柵極漏電流IGSS：±100nA
結溫：55℃to+150℃
封裝：SOT-23(TO-236)
詳情介紹：
